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面議型號
場發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro品牌
國儀量子產(chǎn)地
北京樣本
暫無探測器:
旁側二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED)加速電壓:
200 V ~ 30 kV電子槍:
肖特基熱場發(fā)射電子槍電子光學放大:
1 ~ 1,000,000 x光學放大:
-分辨率:
0.9 nm @ 30 kV,SE看了場發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的用戶又看了
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SEM4000Pro是一款分析型熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡,配備了高亮度、長壽命的肖特基場發(fā)射電子槍。三級磁透鏡設計,束流**可達200 nA,在EDS、EBSD、WDS等應用上具有明顯優(yōu)勢。標配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器,可觀察導電性弱或不導電樣品。標配的光學導航模式,以及直觀的操作界面,讓您的分析工作倍感輕松。
01配備高亮度、長壽命的肖特基熱場發(fā)射電子槍
02分辨率高,30 kV 下優(yōu)于 0.9 nm 的極限分辨率
03三級磁透鏡設計,束流可調(diào)范圍大,**支持 200 nA 的分析束流
04無漏磁物鏡設計,可直接觀察磁性樣品
05標配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器
06標配的光學導航模式,中文操作軟件,讓分析工作更輕松
應用案例
產(chǎn)品參數(shù)
關鍵參數(shù) 高真空分辨率 0.9 nm @ 30 kV,SE 低真空分辨率 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa 加速電壓 200 V ~ 30 kV 放大倍率 1 ~ 1,000,000 x 電子槍類型 肖特基熱場發(fā)射電子槍 樣品室 真空系統(tǒng) 全自動控制 低真空模式 **180 Pa 攝像頭 雙攝像頭 (光學導航+樣品倉內(nèi)監(jiān)控) 行程 X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm T: -10°~+70°,R: 360° 探測器和擴展 標配 旁側二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED) 選配 能譜儀(EDS) 背散射衍射(EBSD) 插入式掃描透射探測器(STEM) 樣品交換倉 軌跡球&旋鈕控制板 軟件 語言 中文 操作系統(tǒng) Windows 導航 光學導航、手勢快捷導航 自動功能 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應用的藥物輔料,因為具有良好的抗粘性、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點,被廣泛應用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟的各個領域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結構,是掃描電鏡重要的應用領
2022-09-27
4月30日,安徽省慶?!拔逡弧濒呤∥逡粍趧营?、工人先鋒號表彰大會在合肥召開。國儀量子技術(合肥)股份有限公司傳感平臺資源部首席工程師石致富憑借在高端科學儀器研發(fā)領域的突出貢獻,榮獲2025年安徽省五一
“儲氫已經(jīng)成為一種戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),在未來,對我們國家的發(fā)展是至關重要?!薄獓益V合金材料工程技術研究中心副主任 重慶新型儲能材料與裝備研究院固態(tài)儲氫研發(fā)中心負責人 陳玉安4月,美麗的山
在科研探索不斷深入的當下,先進儀器與專業(yè)技術支持成為科研突破的關鍵要素。近期,國儀量子于桂林理工大學環(huán)境工程中心成功舉辦電子順磁共振波譜儀(EPR)售后培訓活動,助力師生們提升科研效能,促進學術交流,
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構建晶體管關鍵結構的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術成為確保信號傳輸與芯片功能實現(xiàn)的關鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時,Al 互連導線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應用報告一、背景介紹在半導體芯片制造領域,芯片鈍化層扮演著至關重要的角色。它作為芯片的 “防護鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機械應力等不利