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MDPmap是一個(gè)緊湊的離線臺(tái)式檢測(cè)設(shè)備，主要被設(shè)計(jì)用于生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)。其工作狀態(tài)為穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下（μ-PCD）。
MDPmap自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置可以使該儀器方便地適應(yīng)各種不同的樣品，包括從生長(zhǎng)的晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片。
MDPmap主要優(yōu)點(diǎn)是其高度的靈活性，它允許集成多達(dá)4個(gè)激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量，或者通過(guò)使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。
設(shè)備特點(diǎn)▼
>>靈敏度：對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè)，具有可視化測(cè)試的較高分辨率
>>測(cè)量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘
>>壽命測(cè)試范圍: 20納秒到幾十毫秒
>>沾污檢測(cè)：源自坩堝和生長(zhǎng)設(shè)備的金屬(Fe)污染
>>測(cè)量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品
>>靈活性：允許外部激光通過(guò)觸發(fā)器，與探測(cè)模塊耦合
>>可靠性：模塊化和緊湊臺(tái)式儀器，更高可靠性，正常運(yùn)行時(shí)間> 99%
>>重現(xiàn)性： > 99.5%
>>電阻率：無(wú)需時(shí)常校準(zhǔn)的電阻率面掃描
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
設(shè)備參數(shù)▼
樣品尺寸 | 5mm—300mm（300mm為標(biāo)配，可根據(jù)需求提升至450mm） |
壽命范圍 | 20ns到幾毫秒 |
電阻率 | 0.2 - 103 Ohm cm |
電導(dǎo)類型 | p/n |
材質(zhì) | 硅晶圓，外延層，部分或完全加工晶圓，化合物半導(dǎo)體等 |
測(cè)量屬性 | 少數(shù)載流子壽命、光電導(dǎo)性 |
激勵(lì)源 | 可選四種不同波長(zhǎng)（355nm—1480nm），默認(rèn)值為980nm |
大小 | 680 x 380 x 450 mm， 重量: 65 kg |
電源 | 100-250V，50/60 Hz， 5A |
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