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該裝備是將石墨制品、碳氈或SiC粉體等通過高溫焙燒和工藝氣體定向流動，經(jīng)過物理擴散、化學反應使雜質(zhì)元素從基體中排出，形成灰分含量低（5ppmw）、金屬含量降到PPB數(shù)量級，從而達到半導體晶體生長對石墨品質(zhì)（或粉體原料）要求的工藝過程。
技術參數(shù)
**溫度： 2500℃ 常用工作溫度：2200℃
溫度均勻度：≤±5℃ 儀表控溫精度：±1℃
抽真空時間：≤120min
| 有效工作空間( mm) | **溫度(℃) |
| 840-840-660 | 2200 |
| Φ1380-900 | 2500 |
| Φ1300-820 | 2500 |
| Φ1300-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-2000 | 2500 |
暫無數(shù)據(jù)！
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