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產品特點
1、單層，晶格缺陷少，接近本征石墨烯；
2、可見光透過率高，導電性良好;
3、加工性好，可以轉移在不同的基材上。
特征與優(yōu)勢
CVD銅基底石墨烯薄膜的制備，采用化學氣相沉積法，將碳源高溫分解沉積在銅基底表面，形成了二維碳原子層。CVD銅基底石墨烯薄膜的單層率高，品質優(yōu)異，可實現(xiàn)石墨烯大面積生長，且較易轉移到其它各種基材上使用。
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