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用于快速均勻硅蝕刻
利用定向的氟自由基束中短壽命且高活躍度的F-自由基
腐蝕率：200mm晶圓腐蝕率為3μm/min, 300mm晶圓腐蝕率為2.5μm/min
腐蝕率受膠帶材質限制，無膠帶情況下可達5μm/min
TTV(總厚度變化)：300mm晶圓，硅的厚度從10μm減少至1μm
通過同步旋轉和氟的方位角位移來調節(jié)氟自由基束的均勻性
可選脈沖等離子模式和直流等離子模式
采用基于CF4的化學蝕刻用于含銅等金屬的硅刻蝕
具有可調真空區(qū)域的真空吸盤可處理100/150/200/300mm尺寸的晶圓
真空吸盤可控制溫度
刻蝕超薄晶圓可以使用鋸架
暫無數(shù)據！
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