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導(dǎo)模法晶體生長(zhǎng)爐品牌
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簡(jiǎn)介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進(jìn)口發(fā)熱體，工作溫度精確度達(dá)±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉(zhuǎn)功能，可根據(jù)需要設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度和方向。 4.設(shè)備可用于2-4英寸單晶生長(zhǎng)需求，可根據(jù)客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備： 簡(jiǎn)介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進(jìn)口發(fā)熱體，工作溫度精確度達(dá)±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉(zhuǎn)功能，可根據(jù)需要設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度和方向。 4.設(shè)備可用于2-4英寸單晶生長(zhǎng)需求，可根據(jù)客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備： 簡(jiǎn)介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進(jìn)口發(fā)熱體，工作溫度精確度達(dá)±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉(zhuǎn)功能，可根據(jù)需要設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度和方向。 4.設(shè)備可用于2-4英寸單晶生長(zhǎng)需求，可根據(jù)客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備：
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